中科院游經(jīng)碧:二元協(xié)同鈍化策略助力鈣鈦礦電池效率突破26%

            發(fā)表時間:2024/10/11 14:19:43

            本研究發(fā)表于《Nature Communications》期刊,題為《增強(qiáng)電荷載流子傳輸和缺陷鈍化的鈍化層,用于高效鈣鈦礦太陽能電池》。研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種創(chuàng)新的二元協(xié)同后處理(BSPT)策略,通過混合4-tBBAI和苯丙基碘化銨(PPAI),并旋涂于鈣鈦礦表面,形成高質(zhì)量鈍化層,有效解決了傳統(tǒng)鈍化方法中電荷傳輸受阻的瓶頸。該策略成功制備出經(jīng)過認(rèn)證的正式(n-i-p)平面結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池(PSC),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)26.0%的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE),并展現(xiàn)出優(yōu)異的穩(wěn)定性,在連續(xù)最大功率點(diǎn)追蹤450小時后仍能保持81%的初始效率。

                                                         

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            研究成就與亮點(diǎn)


            本研究最主要的成就在于研發(fā)了一種新型二元有機(jī)鹵化鹽體系,用于對摻雜RbClFAPbI3鈣鈦礦薄膜進(jìn)行二元協(xié)同后處理(BSPT),從而制備出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池(PSC)。該方法有效提升了鈍化層的電荷傳輸性能和缺陷鈍化功能,最終獲得了26.0%的認(rèn)證光電轉(zhuǎn)換效率(PCE),并展現(xiàn)出優(yōu)異的穩(wěn)定性。


            本研究的關(guān)鍵亮點(diǎn)包括:

            提出了一種全新的BSPT策略,將tBBAI與苯丙基碘化銨(PPAI)混合,通過旋涂的方式在鈣鈦礦表面形成鈍化層。

            與單一鈍化劑相比,BSPT策略不僅能進(jìn)一步抑制表面缺陷,還顯著增強(qiáng)了鈍化層的結(jié)晶度,并形成了更有序的分子堆積結(jié)構(gòu),有利于電荷傳輸。通過多種表征手段,深入分析了BSPT策略的作用機(jī)制,揭示了其提升器件性能的關(guān)鍵因素。

            制備的PSCs器件取得了26.0%的認(rèn)證PCE,創(chuàng)造了當(dāng)時的最高紀(jì)錄,同時展現(xiàn)出良好的操作穩(wěn)定性。





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            研究團(tuán)隊(duì)


            本研究由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所游經(jīng)碧研究團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)完成。
            其中,瞿子涵、趙陽為共同第一作者。
            參與單位還包括:
            中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院
            遼寧大學(xué)物理學(xué)院
            香港城市大學(xué)化學(xué)系
            蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)材料研究院
            中國科學(xué)院上海高等研究院上海同步輻射光源
            復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院



            研究背景


            近年來,鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)的發(fā)展取得了令人矚目的進(jìn)展,但其效率仍落后于理論預(yù)測的肖克利-奎伊瑟(S-Q)極限值。其中一個主要限制因素是鈣鈦礦材料中的缺陷態(tài),這些缺陷態(tài)會捕獲電荷載流子,成為非輻射復(fù)合中心,降低器件的開路電壓(Voc)和填充因子(FF)。

            為了克服這一問題,表面鈍化被廣泛應(yīng)用于PSCs的研究中,通過引入鈍化劑與鈣鈦礦材料表面的缺陷態(tài)相互作用,降低缺陷態(tài)密度,抑制非輻射復(fù)合。然而,傳統(tǒng)的鈍化劑通常導(dǎo)電性較差,會阻礙電荷傳輸,進(jìn)一步限制了器件性能的提升。因此,開發(fā)兼具優(yōu)異鈍化效果和電荷傳輸能力的鈍化策略,成為PSCs領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵問題。



            解決方案


            針對上述問題,本研究提出了一種**二元協(xié)同后處理(BSPT**策略,通過將兩種有機(jī)鹵化鹽(PPAItBBAI)混合后旋涂在鈣鈦礦薄膜表面,形成具有優(yōu)異鈍化效果和電荷傳輸能力的鈍化層。與傳統(tǒng)的單一鈍化劑相比,BSPT策略具有以下優(yōu)勢:針對上述問題,本研究提出了一種**二元協(xié)同后處理(BSPT**策略,透過將兩種有機(jī)鹵化鹽(PPAItBBAI)混合后旋涂在鈣鈦礦薄膜表面,形成具有優(yōu)異鈍化效果和電荷傳輸能力的鈍化層。

            與傳統(tǒng)的單一鈍化劑相比,BSPT策略具有以下優(yōu)點(diǎn):



            實(shí)驗(yàn)過程與步驟


            本研究采用了反式結(jié)構(gòu)的PSCs器件,具體結(jié)構(gòu)為FTO/SnO2/Perovskite/Passivation layer/Spiro-OMeTAD/Au。器件制備過程如下:

            1. 基底處理:依次使用清潔劑、去離子水、丙酮和異丙醇清洗FTO導(dǎo)電玻璃,并在使用前進(jìn)行紫外臭氧處理。

            2. 電子傳輸層(ETL)制備:將SnO2納米顆粒溶液旋涂在FTO基底上,并在空氣中退火。

            3. 鈣鈦礦薄膜制備:采用兩步法制備鈣鈦礦薄膜。首先,將PbI2RbCl溶解在DMF

            混合溶劑中,旋涂在SnO2薄膜上,退火后冷卻至室溫。然后,將FAIMACl溶解在異丙醇中,旋涂在PbI2薄膜上,在濕度控制的環(huán)境空氣中退火,最終形成αFAPbI3鈣鈦礦薄膜。

            1. 鈍化層制備:對于對照組樣品,將PPAI溶解在異丙醇中,旋涂在鈣鈦礦薄膜表面。對于目標(biāo)組樣品,將PPAItBBAI混合后溶解在異丙醇中,旋涂在鈣鈦礦薄膜表面,形成BSPT鈍化層。

            2. 電洞傳輸層(HTL)制備:將Spiro-OMeTAD溶液旋涂在鈍化層上,并在干燥箱中氧化過夜。

            3. 電極制備:通過熱蒸發(fā)的方式在HTL上沉積金電極,完成器件制備。電極制備:以熱蒸發(fā)的方式在HTL上沉積金電極,完成組件制備。
                   
                   


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            研究成果表征


            為了深入探究BSPT策略對鈣鈦礦太陽能電池性能的影響機(jī)制,研究人員采用了一系列先進(jìn)的表征技術(shù)對材料和器件進(jìn)行了分析。

            光電性能表征

            電流-電壓(J-V)特性曲線:研究人員使用光焱科技的SS-F5-3A太陽光模擬器,在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下(AM 1.5G100 mW/cm2)測量了器件的J-V特性曲線,并通過校準(zhǔn)后的標(biāo)準(zhǔn)硅電池對光強(qiáng)進(jìn)行校準(zhǔn)。

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            通過J-V曲線,可以獲得器件的關(guān)鍵光伏參數(shù),包括開路電壓(Voc)、短路電流密度(Jsc)、填充因子(FF)和光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,BSPT處理后的器件PCE顯著提高,主要?dú)w因于FF的提升,這得益于BSPT策略改善了鈍化層的電荷提取和傳輸能力。



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            3a:顯示了對照組和目標(biāo)組器件(各25個樣本)的PCEVocJscFF的統(tǒng)計(jì)分布圖。從圖中可以看出,BSPT處理后的目標(biāo)組器件的PCE分布明顯優(yōu)于對照組,主要?dú)w因于FF的顯著提升,這表明BSPT策略有效提高了器件的填充因子。


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            3b:展示了最佳目標(biāo)組器件在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下(1 Sun100 mW/cm2)的J-V曲線,其中同時繪制了反向掃描和正向掃描曲線。結(jié)果顯示,該器件的PCE高達(dá)26.75%,并且反向掃描和正向掃描曲線幾乎重合,表明其具有良好的電荷傳輸特性和較小的滯后效應(yīng)。


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            補(bǔ)充圖15:比較了不同tBBAI濃度(10 mg/mL PPAI混合57.51015 mg/mL tBBAI)的BSPT處理對器件性能的影響。通過比較不同濃度下的J-V曲線和器件參數(shù)(補(bǔ)充表格1),研究人員確定了10 mg/mL PPAI混合10 mg/mL tBBAI為最佳的BSPT處理濃度。


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            補(bǔ)充圖17:展示了最佳目標(biāo)組器件在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下的J-V曲線,并在補(bǔ)充表格2中列出了其詳細(xì)的器件參數(shù)(VocJscFFPCE)。




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            補(bǔ)充圖18:展示了典型對照組器件在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下的J-V曲線,并在補(bǔ)充表格4中列出了其詳細(xì)的器件參數(shù)(VocJscFFPCE)。



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            推薦使用光焱科技REPS 鈣鈦礦與有機(jī)光伏Voc損耗分析系統(tǒng)


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            外部量子效率(EQE):

            研究人員使用光焱科技的QE-R量子效率測量系統(tǒng)測量了器件的EQE譜。

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            EQE反映了器件在不同波長光照射下將光子轉(zhuǎn)換為電子的效率。通過對EQE譜進(jìn)行積分,可以得到與Jsc相吻合的積分電流密度,從而驗(yàn)證J-V測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

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            3d:展示了最佳目標(biāo)組器件的EQE曲線和積分電流密度(Jsc)。從圖中可以看出,該器件在可見光范圍內(nèi)(400 nm800 nm)都具有較高的EQE值,并且EQE曲線覆蓋范圍較廣,表明其能夠有效地利用太陽光。此外,通過對EQE曲線進(jìn)行積分得到的Jsc值與J-V曲線測量得到的Jsc值非常接近,互相驗(yàn)證了測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。


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            推薦使用光焱科技QE-R _ PV/太陽能電池量子效率測量系統(tǒng)



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            3e:這張圖表比較了最佳目標(biāo)組器件的認(rèn)證結(jié)果與Shockley-QueisserS-Q)極限值的比率。圖中顯示,該器件的Jsc達(dá)到了S-Q極限值的95%,展現(xiàn)出其在電流密度方面的優(yōu)異表現(xiàn),這與其在可見光范圍內(nèi)的高EQE值相符。


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            光伏性能參數(shù)統(tǒng)計(jì)分布


            為了評估器件性能的重現(xiàn)性,研究人員制備了多批次器件,并對PCEVocJscFF進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析。結(jié)果顯示,BSPT處理后的器件表現(xiàn)出更高的平均PCE和更窄的分布,證明了該策略的有效性和可重復(fù)性。

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            3a:該圖展示了對照組和目標(biāo)組器件(各25個樣本)的開路電壓(Voc)、短路電流密度(Jsc)、填充因子(FF)和光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)的統(tǒng)計(jì)分布圖。




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            推薦使用光焱科技SS-PST100R AM1.5G 可變標(biāo)準(zhǔn)光譜模擬光源


            相比于對照組器件,BSPT處理后的目標(biāo)組器件的PCE分布明顯向更高值偏移,平均PCE和最高PCE都顯著提高。

            目標(biāo)組器件的FF分布也顯著優(yōu)于對照組,這表明BSPT策略有效提高了器件的填充因子,進(jìn)而提升了器件的整體性能。

            雖然目標(biāo)組器件的VocJsc相較于對照組有所提升,但提升幅度有限,這表明BSPT策略主要影響器件的FF


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            Voc損耗分析


            研究人員通過測量不同光強(qiáng)下的Voc,并根據(jù)Voc與光強(qiáng)的對數(shù)關(guān)系曲線擬合得到理想因子,進(jìn)而分析器件的Voc損耗機(jī)制。BSPT處理后的器件表現(xiàn)出更低的理想因子,表明其Shockley-Read-Hall (SRH)復(fù)合過程得到有效抑制,從而獲得了更高的Voc

            tBBAI 濃度會影響 Voc 損耗: 補(bǔ)充圖 15 和補(bǔ)充表格 1 的結(jié)果表明,tBBAI 濃度對器件的 Voc 有一定的影響,這可能與鈍化層的形貌和鈍化效果有關(guān)。


                 
                 

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            最大功率點(diǎn)(MPP)追蹤:

            為了評估器件的長期運(yùn)行穩(wěn)定性,研究人員在氮?dú)猸h(huán)境和持續(xù)光照條件下對未封裝的器件進(jìn)行了MPP追蹤測試。BSPT處理后的器件在450小時的測試后仍能保持81%的初始效率,展現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。


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            3f顯示了未封裝的對照組和目標(biāo)組器件在連續(xù)1 Sun光照(AM 1.5G100 mW/cm2)、氮?dú)猸h(huán)境、50 ± 5 °C溫度條件下(無主動冷卻)的MPP追蹤結(jié)果。對照組和目標(biāo)組器件的初始PCE分別為25.1%25.6%。,目標(biāo)組器件在450小時的連續(xù)MPP追蹤測試后,仍能保持其初始PCE81%,而對照組器件的PCE則衰減至其初始值的78%。這表明,BSPT策略可以有效提升鈣鈦礦太陽能電池的運(yùn)行穩(wěn)定性。
            值得注意的是,即使是目標(biāo)組器件,在450小時后也出現(xiàn)了較為明顯的性能衰減。這表明,對于以Spiro-OMeTAD作為空穴傳輸層的常規(guī)結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池來說,其長期運(yùn)行穩(wěn)定性仍有待提升。


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            其他表征


            除了上述光電性能表征之外,研究人員還進(jìn)行了一系列材料和器件表征,以深入理解BSPT策略的作用機(jī)制:

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            推薦使用光焱科技LQ-100X-PL _ 光致發(fā)光與發(fā)光量子產(chǎn)率測試系統(tǒng)


            補(bǔ)充圖12:該圖展示了原始鈣鈦礦薄膜、經(jīng)過PPAI單一后處理的鈣鈦礦薄膜和經(jīng)過BSPT處理的鈣鈦礦薄膜的PLQY結(jié)果。

            經(jīng)過BSPT處理的鈣鈦礦薄膜的PLQY明顯高于原始鈣鈦礦薄膜和經(jīng)過PPAI單一后處理的鈣鈦礦薄膜。

            PLQY是衡量材料將吸收的光能轉(zhuǎn)換為光子的效率的指標(biāo),更高的PLQY值通常表明材料具有更低的缺陷密度和更低的非輻射復(fù)合損耗。因此,補(bǔ)充圖12的結(jié)果表明,BSPT策略可以有效鈍化鈣鈦礦薄膜的表面缺陷,從而提高其光學(xué)性能。

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            研究成果研究成果


            本研究開發(fā)了一種名為二元協(xié)同后處理(BSPT)的創(chuàng)新策略,用于改善鈣鈦礦太陽能電池鈍化層的電荷傳輸特性和缺陷抑制功能。通過將tBBAIPPAI混合,BSPT方法成功在鈣鈦礦表面形成了一種高質(zhì)量的鈍化層。

            本研究的主要成果可以總結(jié)如下:

            本研究的創(chuàng)新點(diǎn)在于:

            本研究為開發(fā)高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池提供了一種簡單有效的策略,對推動鈣鈦礦太陽能電池的商業(yè)化應(yīng)用具有重要意義。



            文獻(xiàn)參考自Nature Communications_DOI: 10.1038/s41467-024-52925-y

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