當前位置:首頁 > 產品中心 > EQE/光子-電子轉換測試 > PD檢測 > APD-QE先進光電探測器量子效率與參數分析系統
詳細介紹
品牌 | Enlitech | 價格區間 | 面議 |
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測量模式 | 交流 | 產地類別 | 進口 |
應用領域 | 環保,能源 |
使用均勻光源的「照度模式」(Irradiance Mode) 符合ASTM E1021
取代傳統聚焦小光源,可以測試等級光電子檢測器。
均勢光斑可以克服色散差與像差的問題,可準確測量得EQE曲線
可搭配多種探針系統,實現非破壞性的快速測試。
整合光學與測試系統,提高系統搭建效率。
一體式自動化測試軟件,自動光譜保存與檢測,工作效率高。
測試特性:
– 環境效率 EQE
– 光譜回應 SR
– IV 曲線檢測
– NEP 光譜檢測
– D* 光譜檢測
– 噪聲-電流-頻率響應圖(A/Hz -1/2 ; 0.01Hz~1,000Hz)
– Flicker noise, Johnson Noise, Shot noise 分析
光焱科技Enlitech 的專家團隊擁有豐富的實驗室經驗和技術知識,能夠在線上或現場指導客戶進行精密測試。 例如,通過對噪聲電流頻率圖的詳細分析,Enlitech 幫助客戶識別潛在的測試誤差,優化測試參數,從而提升測試的精確度與再現性。
Enlitech 深知,在光電領域中,精確測試對產品開發和質量控制至關重要。 客戶在面對如噪聲電流頻率、量子效率(EQE)、探測度(D*)及噪聲等效功率(NEP)等測試時,常常因儀器調校復雜、數據不穩定而感到困惑。 針對這些痛點,Enlitech提供了全面的解決方案。
EQE 和 D* 等指標直接影響光電探測器的靈敏度和性能,這在半導體、通訊及航空航天等高科技領域尤為重要。 準確的測試數據不僅能夠幫助客戶提升產品質量,還能降低產品開發周期,節省成本。
光焱科技APD-QE光譜儀量子效率檢查系統在光束直達25mm光束尺寸、工作距200mm條件下檢查,可以達到光強度與光均強度如下。在波長530nm時,光強度可以達到82.97uW/(cm 2 )。
定量控制功能:
APD-QE 光感測器量子效率檢測系統具有「定量」功能(選配),用戶可以透過控制各個單色光子數,讓各波長光子數都一樣,并進行測試。這也是光感測科技 APD-QE 光感測器量子效率檢測系統的獨到技術,其他廠商都做不到。
使用定量子數控制模式(CP控制模式),子數變化可以 < 1%
◆均光系統與探針臺整合:
采用了利傅立葉光學元件均光系統,可將單色光強度空間分布均勢化。在 10mm x 10mm 面積以 5 x 5 檢測光強度分,不一致勢在 470nm、530nm、630nm、850nm 均可小於 1%。在 20mm x 20mm 面積以 10 x 10 矩檢測光強度分,不一致勢可以小於 4%。
軟體可支持多種 SMU 控制,自動進行光照 IV 測試以及暗態 IV 測試,并支持多圖顯示。
相對于其它 QE 系統,APD-QE 可以直接檢測并得到 D* 與 NEP。
升級FETOS軟件操作界面(選配),可測試3端與4端的Photo-FET組件。
APD-QE 系統由其出色的光學系統設計,可以組成多種探針臺。全波長光譜儀的所有光學元件都集成在精巧的系統中。單色光學儀引到探針臺遮光罩盒。圖像顯示了 MPS-4-S 基本探針臺組件,帶有 4 英寸真空吸入盤和 4 個帶有低噪音三軸電子的探針微定位器。
集成探針臺顯示微鏡,手動滑動切換到被測試設備的位置。使用滑動條件后,單色光源器被「固定」在設計位置。顯示微圖像可以顯示于屏幕上,方便用戶進行良好的連接。
A. 定制化隔離遮光箱。
B. 由于先進的PD估算響應速度,所以有效面積就要小(降低容量效率),因此,有很多需要整合探針臺的需求。
C. 可整合不同的半導體分析儀器如4200或E1500。
● LiDAR 中的光電探測器
● InGaAs 光電二維 / SPAD(單光子雪崩二極管)
● 蘋果手表光能傳感器
● 用于高增益感測和成像的光電二極管門控電晶體
● 高頻電感增益和填充系數光學靈敏度分析儀
● 高靈敏度X射線探測器表征
● 硅光學
● InGaAs APD(雪崩光電二極管)
應用 2:用于高增益傳感和成像的光電二極管門控晶體管:
在光學傳感和成像應用中,為了提高靈敏度和 SNR,APS (active pixel sensor) 包括一個光電探測器或一個光電二極管和幾個晶體管,形成一個多組件電路。 其中一個重要的單元:像素內放大器,也稱為源追隨者是必須使用。 APS 自誕生之日起,就從三管電路演變為五管電路,以解決暈染、復位噪聲等問題。 除了 APS,雪崩光電二極管 ( APD )及其相關產品:硅光電倍增器(SiPM)也可以獲得高靈敏度。 然而,由于必須采用高電場來啟動光電倍增和碰撞電離,因此在這些設備中高場引起的散粒噪聲很嚴重。
最近,提出了亞閾值操作光電二極管(PD)門控晶體管的器件概念。 它無需高場或多晶體管電路即可實現高增益。 增益源自光誘導的柵極調制效應,為了實現這一點,必須進行亞閾值操作。 它還以緊湊的單晶體管( 1-T) APS 格式將 PD 與晶體管垂直集成,從而實現高空間分辨率。 這種器件概念已在各種材料系統中實施,使其成為高增益光學傳感器的可行替代技術。
APD-QE 系統致力于研究和分析光電二極管門控非晶硅薄膜晶體管:
不同光強下的光轉移曲線特性。
光強度函數的閾值電壓變化(ΔVth)。
有/無曝光的晶體管輸出特性。
量子效率與光敏增益光譜。
(a) a-Si:H 光電二極管門控 LTPS TFT 結構示意圖; (b) 等效電路圖,顯示具有高 SNR 的 APS
(a) 像素的顯微照片; (b) 部分陣列的顯微照片; (c) 圖像傳感器芯片的照片
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